![IDK12G65C5XTMA2 IDK12G65C5XTMA2](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/28/17/38/58/420638/smn_/manual/ipb65r125c7atma2.jpg)
IDK12G65C5XTMA2 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 130.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDK12G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: PG-TO263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A.
Інші пропозиції IDK12G65C5XTMA2 за ціною від 172.12 грн до 436.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDK12G65C5XTMA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK12G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK12G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A |
на замовлення 977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK12G65C5XTMA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IDK12G65C5XTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A |
товар відсутній |