![IAUTN12S5N018TATMA1 IAUTN12S5N018TATMA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/4216472-40.jpg)
IAUTN12S5N018TATMA1 INFINEON
![4015576.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 438.38 грн |
50+ | 390.23 грн |
100+ | 344.67 грн |
250+ | 325.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUTN12S5N018TATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 309A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IAUTN12S5N018TATMA1 за ціною від 279.03 грн до 613.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IAUTN12S5N018TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUTN12S5N018TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUTN12S5N018TATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 309A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 358W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IAUTN12S5N018TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IAUTN12S5N018TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V |
товар відсутній |