Продукція > INFINEON > IAUTN06S5N008GATMA1
IAUTN06S5N008GATMA1

IAUTN06S5N008GATMA1 INFINEON

4015573.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+391.08 грн
50+ 348.5 грн
100+ 308.18 грн
250+ 289.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN06S5N008GATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 504A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUTN06S5N008GATMA1 за ціною від 254.43 грн до 550.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUTN06S5N008G_DataSheet_v02_00_EN-3369283.pdf MOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+523.16 грн
10+ 442.13 грн
25+ 348.62 грн
100+ 320.5 грн
250+ 301.53 грн
500+ 282.55 грн
1000+ 254.43 грн
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : INFINEON 4015573.pdf Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+550.35 грн
5+ 470.71 грн
10+ 391.08 грн
50+ 348.5 грн
100+ 308.18 грн
250+ 289.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUTN06S5N008GATMA1 IAUTN06S5N008GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008g-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній