Продукція > INFINEON > IAUTN06S5N008ATMA1
IAUTN06S5N008ATMA1

IAUTN06S5N008ATMA1 INFINEON

3968256.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+351.65 грн
100+ 305.13 грн
500+ 264.3 грн
1000+ 219.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUTN06S5N008ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 510A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUTN06S5N008ATMA1 за ціною від 219.64 грн до 498.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUTN06S5N008_Datasheet_DataSheet_v02_00_-3369244.pdf MOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+461.66 грн
10+ 390.4 грн
25+ 307.15 грн
100+ 282.55 грн
250+ 266.38 грн
500+ 248.81 грн
1000+ 224.21 грн
IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1 Виробник : INFINEON 3968256.pdf Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+498.31 грн
10+ 351.65 грн
100+ 305.13 грн
500+ 264.3 грн
1000+ 219.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUTN06S5N008ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iautn06s5n008_datasheet-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній