![IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/42/6462/smn_/manual/pg-hsof-8-1.jpg_472149771.jpg)
IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 178.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IAUT300N10S5N015ATMA1 за ціною від 182.7 грн до 578.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8 Case: PG-HSOF-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IAUT300N10S5N015ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8 Case: PG-HSOF-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 68nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A |
товар відсутній |