Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUT300N08S5N012ATMA2
IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies

infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+166.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUT300N08S5N012ATMA2 за ціною від 166.69 грн до 468.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+166.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+181.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+313.5 грн
50+ 283.79 грн
100+ 253.3 грн
500+ 222.14 грн
1000+ 182.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+313.5 грн
50+ 283.79 грн
100+ 253.3 грн
500+ 222.14 грн
1000+ 182.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580 Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+364.87 грн
10+ 295.1 грн
100+ 238.74 грн
500+ 199.15 грн
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUT300N08S5N012_DataSheet_v01_02_EN-3361873.pdf MOSFET MOSFET_(75V,120V(
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+395.96 грн
10+ 327.79 грн
25+ 272.49 грн
100+ 230.68 грн
250+ 223.71 грн
500+ 204.89 грн
1000+ 175.62 грн
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+468.23 грн
34+ 361.5 грн
50+ 327.26 грн
100+ 299.06 грн
200+ 263.43 грн
500+ 238.22 грн
1000+ 225.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaut300n08s5n012-datasheet-v01_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+468.23 грн
34+ 361.5 грн
50+ 327.26 грн
100+ 299.06 грн
200+ 263.43 грн
500+ 238.22 грн
1000+ 225.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N08S5N012.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUT300N08S5N012-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fdabe0f90580 Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
товар відсутній
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N08S5N012.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній