IAUS300N08S5N011TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 286.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUS300N08S5N011TATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IAUS300N08S5N011TATMA1 за ціною від 272.06 грн до 548.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUS300N08S5N011TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUS300N08S5N011TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS300N08S5N011TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUS300N08S5N011TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUS300N08S5N011TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS-5 Power-Transistor Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS-5 Power-Transistor Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS-5 Power-Transistor Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
OptiMOS-5 Power-Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 1450A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 123A Pulsed drain current: 1450A Power dissipation: 375W Case: PG-HDSOP-16 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 231nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS300N08S5N011TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 1450A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 123A Pulsed drain current: 1450A Power dissipation: 375W Case: PG-HDSOP-16 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 231nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |