IAUCN04S7N020ATMA1

IAUCN04S7N020ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUCN04S7N020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21fc5b071f5a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.7 грн
10+ 74.7 грн
25+ 70.88 грн
100+ 54.65 грн
250+ 51.08 грн
500+ 45.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N020ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUCN04S7N020ATMA1 за ціною від 31.78 грн до 92.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N020_DataSheet_v01_00_EN-3392522.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.69 грн
10+ 75.26 грн
100+ 51.36 грн
500+ 43.56 грн
1000+ 35.47 грн
2000+ 33.38 грн
5000+ 31.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
IAUCN04S7N020ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n020-datasheet-v01_00-en.pdf IAUCN04S7N020ATMA1
товар відсутній
IAUCN04S7N020ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaucn04s7n020-datasheet-v01_00-en.pdf Automotive MOSFET
товар відсутній
IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21fc5b071f5a Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній