IAUCN04S7N005ATMA1

IAUCN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUCN04S7N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701890621ba151fdb Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+90.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IAUCN04S7N005ATMA1 за ціною від 84.34 грн до 245.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 Виробник : INFINEON 3988461.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+133.25 грн
500+ 112.02 грн
1000+ 89.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701890621ba151fdb Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.56 грн
10+ 166.05 грн
100+ 132.13 грн
500+ 104.92 грн
1000+ 89.02 грн
2000+ 84.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7N005_DataSheet_v01_00_EN-3305998.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 13838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.32 грн
10+ 185.91 грн
100+ 128.62 грн
250+ 118.78 грн
500+ 107.54 грн
1000+ 93.48 грн
5000+ 84.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUCN04S7N005ATMA1 IAUCN04S7N005ATMA1 Виробник : INFINEON 3988461.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 175 A, 500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+245.21 грн
10+ 181.35 грн
100+ 133.25 грн
500+ 112.02 грн
1000+ 89.88 грн
Мінімальне замовлення: 4