IAUCN04S7L005ATMA1

IAUCN04S7L005ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUCN04S7L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ed07d31a6c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.21 грн
10+ 161.31 грн
25+ 152.48 грн
100+ 124.03 грн
250+ 117.66 грн
500+ 105.58 грн
1000+ 87.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S7L005ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUCN04S7L005ATMA1 за ціною від 89.2 грн до 201.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S7L005_DataSheet_v01_00_EN-3392531.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.64 грн
10+ 166.7 грн
25+ 137.29 грн
100+ 117.08 грн
250+ 110.81 грн
500+ 104.54 грн
1000+ 89.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S7L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d35ed07d31a6c Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній