![IAUC70N08S5N074ATMA1 IAUC70N08S5N074ATMA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3227622-40.jpg)
IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON
![2883918.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 74.82 грн |
500+ | 58.57 грн |
1000+ | 49.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IAUC70N08S5N074ATMA1 за ціною від 40.7 грн до 132.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IAUC70N08S5N074ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUC70N08S5N074ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IAUC70N08S5N074ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IAUC70N08S5N074ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IAUC70N08S5N074ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 47A Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.4mΩ Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 83W Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IAUC70N08S5N074ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
IAUC70N08S5N074ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 47A Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.4mΩ Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 83W Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |