IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IAUC120N04S6N013ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 49.17 грн |
| 10000+ | 45.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC120N04S6N013ATMA1 Infineon Technologies
Description: IAUC120N04S6N013ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IAUC120N04S6N013ATMA1 за ціною від 45.58 грн до 121.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUC120N04S6N013ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUC120N04S6N013ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUC120N04S6N013ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUC120N04S6N013ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |