IAUC120N04S6N006ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IAUC120N04S6N006ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 91.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC120N04S6N006ATMA1 Infineon Technologies
Description: IAUC120N04S6N006ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IAUC120N04S6N006ATMA1 за ціною від 86.51 грн до 214.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUC120N04S6N006ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUC120N04S6N006ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUC120N04S6N006ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUC120N04S6N006ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 405A T/R |
товар відсутній |