на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 179.58 грн |
| 10+ | 146.3 грн |
| 100+ | 101.21 грн |
| 250+ | 93.48 грн |
| 500+ | 85.05 грн |
| 1000+ | 72.39 грн |
| 2000+ | 69.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUAN04S7N008AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 133W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IAUAN04S7N008AUMA1 за ціною від 70.96 грн до 193.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUAN04S7N008AUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IAUAN04S7N008AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUAN04S7N008AUMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IAUAN04S7N008AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IAUAN04S7N008AUMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 290A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5410 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |