IAUA250N08S5N018AUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 172.67 грн |
| 500+ | 150.82 грн |
| 1000+ | 118.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUA250N08S5N018AUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IAUA250N08S5N018AUMA1 за ціною від 118.95 грн до 302.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUA250N08S5N018AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUA250N08S5N018AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 2097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUA250N08S5N018AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA250N08S5N018AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 250 A, 0.0015 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUA250N08S5N018AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005412937 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUA250N08S5N018AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 35A; Idm: 813A; 238W; PG-HSOF-5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 35A Drain-source voltage: 80V Case: PG-HSOF-5 Gate charge: 125nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 813A Power dissipation: 238W кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IAUA250N08S5N018AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 150µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8715 pF @ 40 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IAUA250N08S5N018AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 35A; Idm: 813A; 238W; PG-HSOF-5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 35A Drain-source voltage: 80V Case: PG-HSOF-5 Gate charge: 125nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 813A Power dissipation: 238W |
товар відсутній |