IAUA180N04S5N012AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 76.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUA180N04S5N012AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IAUA180N04S5N012AUMA1 за ціною від 65.91 грн до 168.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA180N04S5N012AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 70µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6158 pF @ 25 V |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A Automotive 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Pulsed drain current: 720A Power dissipation: 125W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUA180N04S5N012AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Pulsed drain current: 720A Power dissipation: 125W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |