на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 277.26 грн |
| 10+ | 229.21 грн |
| 25+ | 188.86 грн |
| 100+ | 161.68 грн |
| 250+ | 152.62 грн |
| 500+ | 143.56 грн |
| 800+ | 122.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUFA76645S3ST-F085 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HUFA76645S3ST-F085
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HUFA76645S3ST_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
на замовлення 58966400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
HUFA76645S3ST_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
на замовлення 58966630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
HUFA76645S3ST_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
на замовлення 66400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
HUFA76645S3ST-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
HUFA76645S3ST-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |