Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUFA76633P3
HUFA76633P3

HUFA76633P3 Fairchild Semiconductor

FAIRS16061-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
258+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 258
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA76633P3 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V, Power Dissipation (Max): 145W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUFA76633P3 за ціною від 88.34 грн до 88.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUFA76633P3 Виробник : ONSEMI FAIRS16061-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUFA76633P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
312+88.34 грн
Мінімальне замовлення: 312
HUFA76633P3 HUFA76633P3 Виробник : onsemi HUFA76633P3%2CS3S.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товар відсутній