Технічний опис HUFA76432S3S Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUFA76432S3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| HUFA76432S3S | Виробник : FAIRCHILD |
 07+ TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HUFA76432S3S | Виробник : FAIRCHILD |
TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
HUFA76432S3S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V |
товар відсутній |