![HUFA76407DK8T-F085 HUFA76407DK8T-F085](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1028/261%3BMKT-M08A%3BM%2CD%2CTF%3B8.jpg)
HUFA76407DK8T-F085 onsemi
![huf76407dk_f085-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 52.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUFA76407DK8T-F085 onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HUFA76407DK8T-F085 за ціною від 49.13 грн до 126.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HUFA76407DK8T-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HUFA76407DK8T-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HUFA76407DK8T-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
HUFA76407DK8T-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
HUFA76407DK8T_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |