Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUFA75329S3ST
HUFA75329S3ST

HUFA75329S3ST Fairchild Semiconductor

FAIRS19186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 5196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
683+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 683
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUFA75329S3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V, Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUFA75329S3ST за ціною від 46.79 грн до 46.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUFA75329S3ST Виробник : ONSEMI FAIRS19186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUFA75329S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
821+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 821
HUFA75329S3ST HUFA75329S3ST Виробник : onsemi HUFA75329G3%2CP3%2CS3S.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товар відсутній