Продукція > ONSEMI > HUF76639S3ST
HUF76639S3ST

HUF76639S3ST onsemi

huf76639s3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.62 грн
1600+ 64.93 грн
2400+ 62.39 грн
4000+ 58.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF76639S3ST onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF76639S3ST за ціною від 69.17 грн до 167.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUF76639S3ST HUF76639S3ST Виробник : onsemi huf76639s3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 36801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.42 грн
10+ 122.68 грн
100+ 97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF76639S3ST HUF76639S3ST Виробник : onsemi / Fairchild HUF76639S3S_D-2314254.pdf MOSFETs 50A 100V 0.026 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.08 грн
10+ 136.71 грн
100+ 94.55 грн
250+ 87.6 грн
500+ 78.56 грн
800+ 69.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF76639S3ST
Код товару: 176379 		huf76639s3s-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF76639S3ST HUF76639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf76639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76639S3ST HUF76639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf76639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній