Продукція > ONSEMI > HUF76629D3ST
HUF76629D3ST

HUF76629D3ST onsemi

huf76629d3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+82.93 грн
5000+ 76.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF76629D3ST onsemi

Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UltraFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції HUF76629D3ST за ціною від 72.91 грн до 205.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Виробник : ONSEMI 2907455.pdf Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+117.76 грн
500+ 105.73 грн
2500+ 93.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Виробник : ON Semiconductor huf76629d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+129.83 грн
10+ 118.02 грн
25+ 117.37 грн
100+ 101.4 грн
250+ 89.5 грн
500+ 78.56 грн
1000+ 75.74 грн
3000+ 72.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Виробник : ON Semiconductor huf76629d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+139.82 грн
95+ 127.09 грн
96+ 126.4 грн
107+ 109.2 грн
250+ 96.39 грн
500+ 84.61 грн
1000+ 81.57 грн
3000+ 78.52 грн
Мінімальне замовлення: 87
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Виробник : onsemi / Fairchild HUF76629D3S_D-2314501.pdf MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.25 грн
10+ 151.11 грн
100+ 106.37 грн
250+ 104.98 грн
500+ 91.77 грн
1000+ 82.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Виробник : onsemi huf76629d3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 17040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.25 грн
10+ 147.08 грн
100+ 117.09 грн
500+ 92.97 грн
1000+ 78.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Виробник : ONSEMI 2907455.pdf Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+205.11 грн
10+ 152.86 грн
100+ 117.76 грн
500+ 105.73 грн
2500+ 93.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Виробник : ON Semiconductor huf76629d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76629D3ST HUF76629D3ST Виробник : ON Semiconductor huf76629d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній