HUF75645P3 ON Semiconductor
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75645P3 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75645P3 за ціною від 94.08 грн до 219.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75645P3 | Виробник : ONSEMI |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Power dissipation: 310W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 238nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HUF75645P3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HUF75645P3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75645P3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Power dissipation: 310W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 238nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 109 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HUF75645P3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75645P3 - N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| HUF75645P3 | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A HUF75645P3 THUF75645p3 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
HUF75645P3 Код товару: 56156 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|