HUF75639P3 ON Semiconductor
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 79.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75639P3 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75639P3 за ціною від 68.68 грн до 197.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75639P3 | Виробник : ONSEMI |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HUF75639P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75639P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HUF75639P3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HUF75639P3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75639P3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
HUF75639P3 Код товару: 122687 |
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 56 A Rds(on), Ohm: 25 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2000/9,8 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
HUF75639P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
HUF75639P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
HUF75639P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |