Продукція > HARRIS CORPORATION > HUF75339P3
HUF75339P3

HUF75339P3 Harris Corporation

HRISS01065-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
320+65.42 грн
Мінімальне замовлення: 320
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75339P3 Harris Corporation

Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції HUF75339P3 за ціною від 54.85 грн до 159.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.54 грн
10+ 73.84 грн
100+ 63.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+77.61 грн
10+ 75.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
147+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 147
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : onsemi huf75339p3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.94 грн
50+ 104.29 грн
100+ 85.81 грн
500+ 68.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : onsemi / Fairchild HUF75339P3_D-2314763.pdf MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.97 грн
10+ 110.6 грн
100+ 78.75 грн
250+ 77.36 грн
500+ 69.69 грн
800+ 56.59 грн
2400+ 54.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003591086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+159.49 грн
10+ 119.61 грн
100+ 88.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : ON Semiconductor 3673122283856467huf75339p3.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : ONSEMI HUF75339P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75339P3 HUF75339P3 Виробник : ONSEMI HUF75339P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній