![HT8KE5TB1 HT8KE5TB1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2490607-40.jpg)
HT8KE5TB1 ROHM
![ht8ke5tb1-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 47.15 грн |
500+ | 37.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HT8KE5TB1 ROHM
Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.148 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції HT8KE5TB1 за ціною від 25.87 грн до 85.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HT8KE5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
HT8KE5TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HT8KE5TB1 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HT8KE5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
HT8KE5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) |
товар відсутній |