HT8KC5TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.95 грн |
| 10+ | 60.26 грн |
| 25+ | 57.17 грн |
| 100+ | 44.06 грн |
| 250+ | 41.18 грн |
| 500+ | 36.4 грн |
| 1000+ | 28.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HT8KC5TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 13W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції HT8KC5TB1 за ціною від 25.94 грн до 83.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HT8KC5TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. |
на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HT8KC5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HSMT EP T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HT8KC5TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HT8KC5TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm productTraceability: No rohsCompliant: YES Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HT8KC5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 10A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) |
товар відсутній |