Технічний опис HSM8100J/TR13 Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DO-214AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V.
Інші пропозиції HSM8100J/TR13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
HSM8100J/TR13 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
HSM8100J/TR13 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DO-214AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V |
товар відсутній |
|
HSM8100J/TR13 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |