HS1MLW Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 3.49 грн |
30000+ | 3.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1MLW Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції HS1MLW за ціною від 3.36 грн до 28.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HS1MLW | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode 1KV 1A 2-Pin SOD-123W T/R |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HS1MLW | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
на замовлення 39623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HS1MLW | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier |
на замовлення 25180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HS1MLW | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode 1KV 1A 2-Pin SOD-123W T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
HS1MLW | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode 1KV 1A 2-Pin SOD-123W T/R |
товар відсутній |