HS1ML RVG Taiwan Semiconductor
на замовлення 3481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 16.43 грн |
| 50+ | 15.83 грн |
| 100+ | 14.65 грн |
| 250+ | 14.04 грн |
| 500+ | 14.03 грн |
| 1000+ | 14.02 грн |
| 3000+ | 14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1ML RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції HS1ML RVG за ціною від 16.97 грн до 44.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HS1ML RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 3481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
HS1ML RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
HS1ML RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
HS1ML RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
HS1ML RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 75ns 1A 1000V High E ff Recovery Rect |
товар відсутній |