![HS1KL R3G HS1KL R3G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e7806d839239456b1df1d87fe6a0d936d0bfa9ca/subsma.jpg)
HS1KL R3G Taiwan Semiconductor
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
135+ | 4.44 грн |
137+ | 4.37 грн |
140+ | 4.3 грн |
142+ | 4.08 грн |
144+ | 3.71 грн |
250+ | 3.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1KL R3G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції HS1KL R3G за ціною від 12.54 грн до 44.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
HS1KL R3G Код товару: 144480 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
HS1KL R3G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товар відсутній |