Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > HS1KL RVG
HS1KL RVG

HS1KL RVG Taiwan Semiconductor

39hs1al20series_b14.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+14.15 грн
50+ 14.14 грн
Мінімальне замовлення: 43
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HS1KL RVG Taiwan Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.

Інші пропозиції HS1KL RVG за ціною від 15.22 грн до 15.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HS1KL RVG HS1KL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor 39hs1al20series_b14.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 4566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1924+15.23 грн
3000+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 1924
HS1KL RVG HS1KL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor 39hs1al20series_b14.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HS1KL RVG HS1KL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor 39hs1al20series_b14.pdf Diode Switching 800V 2-Pin Sub SMA T/R
товар відсутній
HS1KL RVG HS1KL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
HS1KL RVG HS1KL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
HS1KL RVG HS1KL RVG Виробник : Taiwan Semiconductor HS1AL_SERIES_B14-1918335.pdf Rectifiers 75ns 1A 800V High Ef f Recovery Rectifier
товар відсутній