![HS1JL RVG HS1JL RVG](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e7806d839239456b1df1d87fe6a0d936d0bfa9ca/subsma.jpg)
HS1JL RVG Taiwan Semiconductor
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
304+ | 1.97 грн |
307+ | 1.95 грн |
309+ | 1.94 грн |
313+ | 1.85 грн |
317+ | 1.69 грн |
319+ | 1.61 грн |
500+ | 1.59 грн |
1000+ | 0.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1JL RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції HS1JL RVG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
|
HS1JL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
HS1JL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
HS1JL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
|
HS1JL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|
![]() |
HS1JL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |