HS1JFL Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.8 грн |
6000+ | 5.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1JFL Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123F, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції HS1JFL за ціною від 6.03 грн до 31.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HS1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R |
на замовлення 4384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HS1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R |
на замовлення 4384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HS1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 11836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HS1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
HS1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
HS1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 75ns 2-Pin SOD-123FL T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
HS1JFL | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier |
товар відсутній |