HS1FL RVG Taiwan Semiconductor
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1539+ | 0.39 грн |
| 2223+ | 0.27 грн |
| 2286+ | 0.26 грн |
| 2425+ | 0.24 грн |
| 2500+ | 0.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HS1FL RVG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Sub SMA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V.
Інші пропозиції HS1FL RVG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
HS1FL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Diode Switching 300V 1A 2-Pin Sub SMA T/R |
на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
HS1FL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 300V 2-Pin Sub SMA T/R |
товар відсутній |
|
 |
HS1FL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
товар відсутній |
|
|
|
HS1FL RVG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
товар відсутній |