HP8JE5TB1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 21W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 91.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HP8JE5TB1 ROHM
Description: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 21W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції HP8JE5TB1 за ціною від 62.93 грн до 203.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HP8JE5TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - HP8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 12.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.127ohm Verlustleistung, p-Kanal: 21W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HP8JE5TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications. |
на замовлення 4894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HP8JE5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: -100V 12.5A, DUAL PCH+PCH, HSOP8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| HP8JE5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| HP8JE5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
HP8JE5TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: -100V 12.5A, DUAL PCH+PCH, HSOP8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP |
товар відсутній |