Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1B01FU-Y,LXHF
HN1B01FU-Y,LXHF

HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.55 грн
25+ 11.9 грн
100+ 6.04 грн
500+ 4.62 грн
1000+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz, Supplier Device Package: US6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції HN1B01FU-Y,LXHF за ціною від 3.46 грн до 27.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Виробник : Toshiba HN1B01FU_datasheet_en_20220311-1916404.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+27.4 грн
17+ 19.87 грн
100+ 9.8 грн
500+ 6.49 грн
1000+ 5.01 грн
3000+ 3.88 грн
9000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
HN1B01FU-Y,LXHF HN1B01FU-Y,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU_datasheet_en_20220311.pdf?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній