HIP2100IBZ Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 114 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 4V, 7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 307.51 грн |
| 10+ | 265.77 грн |
| 25+ | 251.27 грн |
| 100+ | 204.37 грн |
| 250+ | 193.89 грн |
| 980+ | 146.73 грн |
| 2940+ | 137.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HIP2100IBZ Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - HIP2100IBZ - Zweifacher Leistungstreiber, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423190, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 20ns, Ausgabeverzögerung: 20ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції HIP2100IBZ за ціною від 137.01 грн до 358.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HIP2100IBZ | Виробник : Renesas / Intersil |
Gate Drivers HIP2100IBZVERSION 100V HALF BRDG DRVR |
на замовлення 12666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
HIP2100IBZ | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - HIP2100IBZ - Zweifacher Leistungstreiber, Halbbrücke, 9V-14V Versorgungsspannung, 2Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423190 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| HIP2100IBZ | Виробник : Intersil |
HIP2100IBZ LEAD-FREE VERSION, 100V HALF BRIDGE DRIVER HIP2 ITSHIP2100IB кількість в упаковці: 98 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
 |
HIP2100IBZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 9÷14VDC; 100V Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -2...2A Number of channels: 2 Supply voltage: 9...14V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Voltage class: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
HIP2100IBZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO8; -2÷2A; Ch: 2; 9÷14VDC; 100V Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -2...2A Number of channels: 2 Supply voltage: 9...14V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Voltage class: 100V |
товар відсутній |