HGTG11N120CND ON Semiconductor
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 322.59 грн |
| 10+ | 302.74 грн |
| 25+ | 264.91 грн |
| 100+ | 229 грн |
| 250+ | 208.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTG11N120CND ON Semiconductor
Description: IGBT NPT 1200V 43A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns, Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off), Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 43 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 298 W.
Інші пропозиції HGTG11N120CND за ціною від 182.16 грн до 445.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HGTG11N120CND | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HGTG11N120CND | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 43A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off) Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 43 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HGTG11N120CND | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 22A; 298W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 22A Power dissipation: 298W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HGTG11N120CND | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HGTG11N120CND | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 43A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| HGTG11N120CND | Виробник : ON-Semicoductor |
43A; 1200V; 298W; IGBT w/ Diode HGTG11N120CND THGTG11n120cnd кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
HGTG11N120CND Код товару: 63369 |
Виробник : FAIR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 2,1 V Ic 25: 43 A Ic 100: 22 A td(on)/td(off) 100-150 град: 23/180 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
HGTG11N120CND | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |