HGTG10N120BND onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 11161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 345.47 грн |
| 30+ | 186.05 грн |
| 120+ | 153.72 грн |
| 510+ | 121.96 грн |
| 1020+ | 114.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGTG10N120BND onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns, Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 298 W.
Інші пропозиції HGTG10N120BND за ціною від 142.52 грн до 411.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HGTG10N120BND | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
HGTG10N120BND | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
HGTG10N120BND | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
HGTG10N120BND Код товару: 91807 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||
 |
HGTG10N120BND | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch |
товару немає в наявності |