Продукція > ONSEMI > HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST ONSEMI

HGT1S10N120BNS.pdf Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 17A; 298W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 17A
Power dissipation: 298W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+160.66 грн
5+ 131.8 грн
8+ 113.7 грн
21+ 107.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HGT1S10N120BNST ONSEMI

Description: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns, Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off), Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 298 W.

Інші пропозиції HGT1S10N120BNST за ціною від 138.35 грн до 312.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Виробник : onsemi hgtp10n120bn-d.pdf Description: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.02 грн
10+ 230.51 грн
100+ 186.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Виробник : onsemi / Fairchild HGTP10N120BN_D-2314406.pdf IGBT Transistors N-Channel IGBT NPT Series 1200V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 752-761 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+312.27 грн
10+ 258.24 грн
25+ 212.04 грн
100+ 181.45 грн
250+ 171.02 грн
500+ 162.68 грн
800+ 138.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Виробник : ON Semiconductor hgtp10n120bn-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Виробник : ON Semiconductor hgtp10n120bn-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST Виробник : onsemi hgtp10n120bn-d.pdf Description: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
товар відсутній