Продукція > HUAJING > HFGM150D12V3
HFGM150D12V3

HFGM150D12V3 HUAJING

Виробник: HUAJING
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Case: V3 62MM
Mechanical mounting: screw
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Application: for UPS; Inverter
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Type of module: IGBT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4304.21 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HFGM150D12V3 HUAJING

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Case: V3 62MM, Mechanical mounting: screw, Technology: PT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Application: for UPS; Inverter, Topology: IGBT half-bridge, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 350A, Type of module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції HFGM150D12V3 за ціною від 5165.05 грн до 5165.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HFGM150D12V3 HFGM150D12V3 Виробник : HUAJING Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Case: V3 62MM
Mechanical mounting: screw
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Application: for UPS; Inverter
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Type of module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5165.05 грн