![HERAF1008GH HERAF1008GH](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5443/MFG_SFF502G.jpg)
HERAF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation
![HERAF1001G%20SERIES_I2105.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: 80NS, 10A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.62 грн |
50+ | 55.27 грн |
100+ | 43.8 грн |
500+ | 34.84 грн |
1000+ | 28.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HERAF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 80NS, 10A, 1000V, HIGH EFFICIENT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: ITO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HERAF1008GH
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
HERAF1008GH | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |