HERA808G Taiwan Semiconductor
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 77.16 грн |
| 10+ | 62.27 грн |
| 100+ | 42.09 грн |
| 500+ | 35.68 грн |
| 1000+ | 29.06 грн |
| 2500+ | 27.32 грн |
| 5000+ | 26.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HERA808G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції HERA808G за ціною від 28.22 грн до 70.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HERA808G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 8A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|