HER308G Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1250+ | 14.15 грн |
| 2500+ | 12.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER308G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції HER308G за ціною від 5.22 грн до 46.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HER308G | Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HER308G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HER308G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HER308G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 1446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HER308G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 117-126 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HER308G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| HER308G | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-27 |
на замовлення 48750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| HER308G |
HER308 3.0A 1000V DO-27 |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
HER308G Код товару: 186358 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| HER308G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| HER308G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| HER308G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS D Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |