![HER307G HER307G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/6167/1801%7EDO201AD%7E%7E2.jpg)
HER307G Taiwan Semiconductor Corporation
![HER301G SERIES_I2105.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.2 грн |
10+ | 32.16 грн |
100+ | 22.37 грн |
500+ | 16.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER307G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER307G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції HER307G за ціною від 8.46 грн до 41.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HER307G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 85-94 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
HER307G | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
![]() |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
HER307G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
HER307G+ | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassspannung Vf max.: 1.7 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 75 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 125 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 800 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
HER307G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Max. forward impulse current: 125A Kind of package: tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Mounting: THT Case: DO201AD Max. off-state voltage: 0.8kV Max. forward voltage: 1.7V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
HER307G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
HER307G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Max. forward impulse current: 125A Kind of package: tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Mounting: THT Case: DO201AD Max. off-state voltage: 0.8kV Max. forward voltage: 1.7V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns |
товар відсутній |