![HER107G HER107G](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/E2/47/80/00/0/554030_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=224645eca79c383d1439a260e408fb10c4a6dea2)
HER107G YANGJIE TECHNOLOGY
![HER101G_SER.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.7V
Case: DO41
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 3.16 грн |
175+ | 2.19 грн |
500+ | 1.97 грн |
525+ | 1.63 грн |
1425+ | 1.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER107G YANGJIE TECHNOLOGY
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції HER107G за ціною від 1.1 грн до 34.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HER107G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.7V Case: DO41 Mounting: THT Max. forward impulse current: 30A Kind of package: tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Max. off-state voltage: 0.8kV Max. forward voltage: 1.7V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER107G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
HER107G | Виробник : LGE |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HER107G | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
![]() |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
HER107G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER107G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |