![HER104G HER104G](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/E2/47/80/00/0/554030_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=224645eca79c383d1439a260e408fb10c4a6dea2)
HER104G YANGJIE TECHNOLOGY
![HER101G_SER.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.3V
Mounting: THT
Case: DO41
Max. off-state voltage: 300V
Kind of package: tape
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
на замовлення 4225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 2.71 грн |
200+ | 1.88 грн |
500+ | 1.69 грн |
600+ | 1.43 грн |
1625+ | 1.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER104G YANGJIE TECHNOLOGY
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V.
Інші пропозиції HER104G за ціною від 1.62 грн до 33.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HER104G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.3V Mounting: THT Case: DO41 Max. off-state voltage: 300V Kind of package: tape Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 30A Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 4225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER104G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
на замовлення 4599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
HER104G | Виробник : Yangjie Electronic Technology | High Efficient Rectifier |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
HER104G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
HER104G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 300V, High Efficient Recovery Rectifier |
товар відсутній |