![H11G1M H11G1M](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/dd5d55e7516c588ceed70a5a6aa2b80121bb7fa6/pdipwlead-6.jpg)
H11G1M ON Semiconductor
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 20.2 грн |
2000+ | 19.66 грн |
5000+ | 19.46 грн |
10000+ | 18.58 грн |
25000+ | 17.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис H11G1M ON Semiconductor
Description: ONSEMI - H11G1M - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 7.5 kV, 500 %, tariffCode: 85414900, rohsCompliant: YES, Anzahl der Kanäle: 1 Kanal, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, CTR, min.: 500%, usEccn: EAR99, Isolationsspannung: 7.5kV, Durchlassstrom If, max.: 60mA, euEccn: NLR, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Bauform - Optokoppler: DIP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції H11G1M за ціною від 18.2 грн до 75.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
H11G1M | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
H11G1M | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
H11G1M | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
H11G1M | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
H11G1M | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
H11G1M | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 100V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 4.17kV CTR@If: 100%@10mA Collector-emitter voltage: 100V Case: DIP6 |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
H11G1M | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
H11G1M | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
H11G1M | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 100V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 4.17kV CTR@If: 100%@10mA Collector-emitter voltage: 100V Case: DIP6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 745 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
H11G1M | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 500% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 7.5kV Durchlassstrom If, max.: 60mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
H11G1M | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: Darlington with Base Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 100°C Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V Input Type: DC Voltage - Isolation: 4170Vrms Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 10mA Vce Saturation (Max): 1V Supplier Device Package: 6-DIP Voltage - Output (Max): 100V Part Status: Active Number of Channels: 1 Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA |
на замовлення 12662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
H11G1M Код товару: 59924 |
Виробник : Fairchild |
![]() Корпус: PDIP-6 Тип: Транзистор Uізол,kV: 7,5 kV Iвх/Iвых,mA: 60/ mA Uвых,V: 100 V Роб.темп.,°С: -40…+100°C |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
H11G1M | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 2.5kV; Uce: 100V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: transistor Insulation voltage: 2.5kV CTR@If: 100%@10mA Collector-emitter voltage: 100V Case: DIP6 Turn-on time: 5µs Turn-off time: 0.1ms |
товар відсутній |